Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQNL1N50BBU
MOSFET N-CH 500V 270MA TO92-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQNL1N50BBU
FQNL1N50BBU Hakkında
FQNL1N50BBU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source voltajı ve 270mA sürekli akım kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-92-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürücü voltajında 9Ω maksimum on-state dirençine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve genel amaçlı elektronik kontrol sistemlerinde yer alır. 1.5W maksimum güç tüketimi ve düşük gate charge karakteristiği ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 270mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9Ohm @ 135mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok