Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQN1N60CTA
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQN1N60CTA
FQN1N60CTA Hakkında
FQN1N60CTA, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilimi (Vdss) ve 300mA sürekli drain akımı (Id) ile küçük sinyal uygulamalarında kullanılan bir alan etkili transistördür. TO-92-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, amplifikatör uygulamaları ve düşük güç kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. 11.5Ohm maksimum Rds(On) değeri ile güç tüketimini sınırlar. ±30V Vgs (Gate-Source gerilimi) aralığında çalışır ve -55°C ile 150°C arasında sıcaklık ortamlarına dayanıklıdır. 1W (Ta) / 3W (Tc) güç yayılım kapasitesi ile baskı devre tasarımlarında esneklik sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 170 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta), 3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5Ohm @ 150mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok