Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQN1N60CTA
MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQN1N60CTA
FQN1N60CTA Hakkında
FQN1N60CTA, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 300mA sürekli drain akımı kapasitesi ile voltaj anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-92-3 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında güvenli bir şekilde çalışabilir. 10V gate voltajında 11.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp anahtarlamaya olanak tanır. Kontrol devreleri, motor sürücüleri ve elektrik güç kaynakları gibi endüstriyel elektronik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 170 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta), 3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5Ohm @ 150mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok