Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQN1N60CBU
MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQN1N60CBU
FQN1N60CBU Hakkında
FQN1N60CBU, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilim ve 300mA sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-92-3 through-hole paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve kontrol sistemlerinde kullanılır. 10V gate sürme voltajında 11.5Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygun hale getirilmiştir. 6.2nC gate charge ve 170pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 170 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta), 3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5Ohm @ 150mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok