Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQN1N60CBU
MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQN1N60CBU
FQN1N60CBU Hakkında
FQN1N60CBU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 300mA sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-92-3 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışmaktadır. 10V gate geriliminde 11.5Ω maksimum Rds(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında ve düşük güç devrelerde kullanılır. 6.2nC gate yükü ve 170pF giriş kapasitansi özellikleriyle hızlı anahtarlama gerekli olan endüstriyel kontrol, invertör ve güç yönetimi devrelerinde uygulanabilir. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 170 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta), 3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5Ohm @ 150mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok