Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQN1N50CBU
MOSFET N-CH 500V 380MA TO92-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQN1N50CBU
FQN1N50CBU Hakkında
FQN1N50CBU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 380mA sürekli dren akımı ile çalışır. TO-92-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde maksimum 6 Ohm RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen transistör, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 890mW (Ta) ve 2.08W (Tc) güç dissipasyonu ile orta güç uygulamalarına uygundur. Through-hole montaj tipi sayesinde geleneksel PCB tasarımlarında yerleştirilebilir. Düşük kapasitans değerleri (195pF @ 25V) hızlı anahtarlama işlemlerine olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 380mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 195 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 890mW (Ta), 2.08W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 190mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok