Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQL40N50F
MOSFET N-CH 500V 40A TO264-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-264-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQL40N50F
FQL40N50F Hakkında
FQL40N50F, Rochester Electronics tarafından üretilen 500V N-Channel MOSFET transistördür. 40A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, güç dönüşüm uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve elektrik beslemesi tasarımlarında kullanılır. TO-264-3 paketinde sunulan transistör, 110mOhm maksimum gate-source direnciyle (Rds On @ 20A, 10V) verimli iletim sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 150°C arası) endüstriyel ve profesyonel uygulamalara uygunluğunu gösterir. Maksimum 460W güç saçılım kapasitesi ve düşük input capacitance (7500pF @ 25V) özelliği hızlı anahtarlama işlemleri için elverişlidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-264-3, TO-264AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 460W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | HPM F2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok