Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI9N50TU
MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI9N50TU
FQI9N50TU Hakkında
FQI9N50TU, Rochester Electronics tarafından üretilen 500V dayanımlı N-Channel MOSFET transistörüdür. 9A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 10V gate drive voltajında 730mΩ maksimum on-direnci ile çalışır. TO-262 (I²Pak) paketinde sunulan transistör, -55°C ile +150°C arasında güvenli şekilde işletilir. 36nC gate charge ve 1450pF input capacitance özellikleriyle güç dönüştürme, motor kontrol ve anahtar uygulamalarında kullanılır. Maksimum ±30V gate-source gerilimi belirtimi ile tasarlanmış bu bileşen, 3.13W (Ta) ve 147W (Tc) güç tüketim sınırlarına tabidir. Şu anda üretim dışı (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1450 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 147W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 730mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok