Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI9N50CTU
MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI9N50CTU
FQI9N50CTU Hakkında
FQI9N50CTU, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürücü geriliminde 800mΩ açık kanal direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama sağlar. TO-262 (I²Pak) paketi ile yüksek ısıl iletkenliğe sahiptir. 135W maksimum güç dağılımı kapasitesi sayesinde SMPS, inverter, motor kontrol ve endüstriyel güç dönüştürücülerinde uygulanır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Transistör, yüksek voltajlı anahtar uygulamaları için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1030 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 135W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok