Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI9N25CTU
MOSFET N-CH 250V 8.8A I2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI9N25CTU
FQI9N25CTU Hakkında
FQI9N25CTU, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 250V drain-source gerilimi ve 8.8A sürekli drain akımı özellikleriyle, orta güç uygulamalarında kullanılır. 430mΩ maksimum on-state direnç (10V gate geriliminde) sayesinde düşük enerji kaybı sağlar. TO-262-3 (I²Pak) paketlemesi sayesinde yüksek ısıl performans sunar. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Not: Bu ürün üretimden kaldırılmış (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 710 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 430mOhm @ 4.4A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok