Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI9N08LTU
MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI9N08LTU
FQI9N08LTU Hakkında
FQI9N08LTU, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltaj desteği ve 9.3A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 210mΩ maksimum on-resistance değeriyle anahtarlama uygulamalarında verimli işlem sağlar. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu komponentin 6.1nC gate charge değeri hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilme yeteneği geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Güç kaynakları, motor kontrolü, AC/DC dönüştürücüler ve yük anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210mOhm @ 4.65A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok