Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI8P10TU
MOSFET P-CH 100V 8A I2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI8P10TU
FQI8P10TU Hakkında
FQI8P10TU, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 8A sürekli akım kapasitesi ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 10V gate sürüşü altında 530mOhm maksimum on-state direnç değeri ile verimli anahtarlama sağlar. I²PAK (TO-262) paket tipi ile Through Hole montajına uygun olup, -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sunar. Endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Kompakt tasarımı ve düşük ısıl direnci sayesinde kompakt PCB tasarımlarında tercih edilir. Ürün şu anda obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 470 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 530mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok