Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI7P06TU
MOSFET P-CH 60V 7A I2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI7P06TU
FQI7P06TU Hakkında
FQI7P06TU, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi (Vdss) ve 7A sürekli drain akımı (Id) kapasitesi ile güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 410mOhm RDS(on) değeri ile anahtarlama devrelerinde, motor sürücülerinde, güç kaynağı tasarımlarında ve invertör uygulamalarında tercih edilir. 3.75W (Ta) güç tüketimine sahip olup, ±25V kapı gerilimi aralığında güvenli şekilde işletilir. Obsolete durumda olan bu transistör, mevcut stoklardan temin edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 295 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 410mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok