Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI7N80TU
MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI7N80TU
FQI7N80TU Hakkında
FQI7N80TU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V Drain-Source gerilim derecelendirilmesi ve 6.6A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-262 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında 1.5Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 52nC gate charge ve 1850pF input kapasitans özellikleri ile anahtarlama hızı ve güç verimliliğini destekler. Sürücü devreleri, güç kaynakları, endüstriyel kontrol sistemleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1850 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 3.3A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok