Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI7N80TU
MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI7N80TU
FQI7N80TU Hakkında
FQI7N80TU, onsemi tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET transistörüdür. 6.6A sürekli drenaj akımı ve 1.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde temin edilen bu transistör, güç elektronikleri, invertör devreleri, anahtarlama uygulamaları ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilmektedir. ±30V maksimum kapı gerilimi ve -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı, çeşitli endüstriyel uygulamalara uygunluğunu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1850 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 3.3A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok