Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI7N60TU
MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI7N60TU
FQI7N60TU Hakkında
FQI7N60TU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ve 7.4A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-262-3 I²Pak paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 1Ω RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge 38nC @ 10V'ta ölçülmüştür. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve güç dönüştürücüler gibi endüstriyel elektronik uygulamalarında kullanılır. ±30V maksimum gate gerilimi ile geniş kontrol marjı sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1430 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 142W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 3.7A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok