Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI7N10LTU
MOSFET N-CH 100V 7.3A I2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI7N10LTU
FQI7N10LTU Hakkında
FQI7N10LTU, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltajı ve 7.3A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 350mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu komponent, güç anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve endüstriyel güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı ve 40W termal güç yönetimi kapasitesi, çeşitli endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygun hale getirir. ±20V gate-source voltaj toleransı ile geniş kontrol aralığı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 3.65A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok