Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI7N10LTU
MOSFET N-CH 100V 7.3A I2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI7N10LTU
FQI7N10LTU Hakkında
FQI7N10LTU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 7.3A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 350mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük kayıp işletme sağlar. TO-262-3 (I²Pak) kütüphanesi monte tipi ile endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 40W maksimum güç tüketimi özelliği ile ısıl yönetim gerektiren tasarımlarda tercih edilir. Ürün artık üretimi durdurulmuştur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 3.65A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok