Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI6N60CTU
MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI6N60CTU
FQI6N60CTU Hakkında
FQI6N60CTU, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilim dayanımı ve 5.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaktadır. TO-262 (I²PAK) paketinde sunulan bu bileşen, 2Ω maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. SMPS, power conversion, motor kontrol ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. 125W maksimum güç saçma kapasitesi ile ısıl yönetim gereksinimleri karşılanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 810 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 2.75A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok