Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI6N60CTU
MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI6N60CTU
FQI6N60CTU Hakkında
FQI6N60CTU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltajı ve 5.5A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, LED sürücüsü ve anahtarlama devreleri gibi endüstriyel uygulamalarda yer alır. 2Ω maksimum on-direnci ve 125W güç tüketim kapasitesi ile verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında işletme sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Bileşenin mevcut durumu eski/kullanım dışı (Obsolete) olarak işaretlenmiş olup, stok bulunabilirliği sınırlıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 810 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 2.75A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok