Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI6N50TU
MOSFET N-CH 500V 5.5A I2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI6N50TU
FQI6N50TU Hakkında
FQI6N50TU, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 5.5A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 1.3Ω maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı ve 130W maksimum güç tüketimi kapasitesi, zorlu ortam koşullarında güvenilir çalışma sağlar. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuştur (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 790 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 130W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3Ohm @ 2.8A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok