Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI6N50TU
MOSFET N-CH 500V 5.5A I2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI6N50TU
FQI6N50TU Hakkında
FQI6N50TU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilim (Vdss) ve 5.5A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesine sahiptir. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürücü geriliminde 1.3Ohm maksimum on-state direnç (RdsOn) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan ve 130W (Tc) güç saçabilen bu transistör, endüstriyel kontrol devreleri, güç kaynakları ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Gate charge değeri 22nC olup hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 790 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 130W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3Ohm @ 2.8A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok