Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQI6N40CTU

MOSFET N-CH 400V 6A I2PAK

Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
FQI6N40CTU

FQI6N40CTU Hakkında

FQI6N40CTU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 400V drain-source gerilimi ve 6A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-262-3 (I²Pak) paketlemede sunulan bu bileşen, 1Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen komponent, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrol devrelerinde ve güç kaynakları tasarımlarında kullanılır. 73W maksimum güç harcaması ve 20nC gate charge değeri hızlı anahtarlama işlemlerine olanak tanır. Üretimi sonlandırılmış (obsolete) bir komponendir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 625 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 73W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 3A, 10V
Supplier Device Package I2PAK (TO-262)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok