Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI5P10TU
MOSFET P-CH 100V 4.5A I2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI5P10TU
FQI5P10TU Hakkında
FQI5P10TU, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilim kapasitesi ve 4.5A sürekli dren akımı ile tasarlanan bu bileşen, 10V sürücü gerilimine sahiptir. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu MOSFET, 1.05Ω maksimum Rds(on) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. Maksimum 40W güç dağıtma kapasitesi bulunmaktadır. Ürün durumu Obsolete olup, stok bulunabilirliğinin kontrol edilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05Ohm @ 2.25A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok