Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI5N60CTU
MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI5N60C
FQI5N60CTU Hakkında
FQI5N60CTU, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source voltajı ve 4.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.5Ohm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. I²Pak (TO-262) paketlemesi ile yüksek güç yoğunluğu uygulamalarında montajı kolaylaştırır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş işletme sıcaklık aralığında kararlı performans sunar. Switch mode güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 670 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 2.25A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok