Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI5N60CTU
MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI5N60C
FQI5N60CTU Hakkında
FQI5N60CTU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltaj ve 4.5A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu komponentin maksimum RDS(on) değeri 2.5Ω'dur. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Güç elektronikleri uygulamalarında, anahtarlama devreleri, motor kontrolü, elektrik sürücüleri ve endüstriyel güç kaynakları gibi yüksek voltaj ve akım gerektiren sistemlerde kullanılır. 19nC gate charge ve 670pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlamaya uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 670 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 2.25A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok