Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI5N30TU
MOSFET N-CH 300V 5.4A I2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI5N30TU
FQI5N30TU Hakkında
FQI5N30TU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 300V drain-source voltaj (Vdss) ve 5.4A sürekli dren akımı (Id) kapasitesine sahiptir. TO-262-3 (I²Pak) through-hole paketlemesi ile sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş voltajında maksimum 900mOhm on-resistance (Rds On) değerine ulaşır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. 13nC gate charge ile hızlı komütasyon özellikleri sunar. Bileşen şu anda üretim dışı (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 430 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 70W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2.7A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok