Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQI5N15TU

MOSFET N-CH 150V 5.4A I2PAK

Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
FQI5N15TU

FQI5N15TU Hakkında

FQI5N15TU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilim (Vdss) ve 5.4A sürekli dren akımı ile çalışır. TO-262-3 (I²Pak) through-hole paketinde sunulur. 800mΩ on-resistance değeri ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 3.75W (Ta) güç dissipasyonu kapasitesi ile endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri ve DC/DC konverterler gibi uygulamalarda kullanılmaya uygundur. Bileşen şu anda discontinued (üretilmiyor) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.75W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 2.7A, 10V
Supplier Device Package I2PAK (TO-262)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok