Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI50N06LTU
MOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI50N06LTU
FQI50N06LTU Hakkında
FQI50N06LTU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 60V drain-source gerilimi ve 52.4A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-262-3 (I²PAK) paketinde sunulan bu transistör, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 21mOhm maksimum on-resistance değeri ile enerji kaybını azaltır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında uygunluk sağlar. Gate charge değeri 32nC olup, hızlı anahtarlama özelliği vardır. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve yük anahtarlaması gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 52.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1630 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 121W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 26.2A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok