Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI4N90TU
MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI4N90TU
FQI4N90TU Hakkında
FQI4N90TU, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. 900V drain-source gerilim (Vdss) ve 4.2A sürekli drain akımı (Id) ile tasarlanmıştır. 3.3Ω maksimum on-state resistance (Rds On) değeri ile verimli güç iletimi sağlar. TO-262 I²Pak (I2PAK) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj güç uygulamalarında, AC/DC konverterlerinde, motor kontrol devrelerinde ve endüstriyel güç yönetim sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 140W (Tc) maksimum güç tüketim kapasitesi ile ısıl yönetimi destekleyen uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3Ohm @ 2.1A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok