Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI4N80TU
MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI4N80TU
FQI4N80TU Hakkında
FQI4N80TU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ve 3.9A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-262 (I²Pak) paketinde sağlanan bu bileşen, güç dönüştürücüleri, anahtarlama devrelereri, motor kontrol uygulamaları ve endüstriyel anahtarlama sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. 3.6Ω (max) açık kaynak direnci ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir. 130W (Tc) maksimum güç dağılımı ile ağır yüklere uygun tasarlanmıştır. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye direkta entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 880 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 130W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6Ohm @ 1.95A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok