Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI3P20TU
MOSFET P-CH 200V 2.8A I2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI3P20TU
FQI3P20TU Hakkında
FQI3P20TU, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source voltaj kapasitesi ve 2.8A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(On) değeri (2.7Ω @ 1.4A, 10V) sayesinde verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihazında güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve genel anahtarlama devrelerinde uygulanmaktadır. 8nC gate charge ve 250pF input capacitance özellikleriyle hızlı komütasyon sağlar. Bileşen üretim dışı (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7Ohm @ 1.4A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok