Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQI3N90TU

MOSFET N-CH 900V 3.6A I2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
FQI3N90TU

FQI3N90TU Hakkında

FQI3N90TU, onsemi tarafından üretilen 900V N-Channel MOSFET'tir. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu transistör, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 3.6A sürekli dren akımı ve 4.25Ω maksimum RDS(on) değeri ile güç kaybını minimize eder. ±30V gate voltaj aralığında çalışabilen bileşen, -55°C ile +150°C arasında stabil performans sunar. SMPS (Switched Mode Power Supply), güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Gate charge değeri 26nC ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirmeye elverişlidir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 910 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.25Ohm @ 1.8A, 10V
Supplier Device Package I2PAK (TO-262)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok