Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI3N80TU
MOSFET N-CH 800V 3A I2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI3N80TU
FQI3N80TU Hakkında
FQI3N80TU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ve 3A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 5Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen komponent, endüstriyel kontrol sistemleri, güç yönetimi devreleri, switch-mode güç kaynakları ve SMPS uygulamalarında tercih edilir. Gate charge karakteristiği (19nC @ 10V) hızlı komütasyon gerektiren uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 690 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 107W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok