Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI3N30TU
MOSFET N-CH 300V 3.2A I2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI3N30TU
FQI3N30TU Hakkında
FQI3N30TU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 300V drain-source gerilim (Vdss) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 3.2A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve motor kontrolü gibi uygulamalarda yer alır. TO-262-3 (I2PAK) through-hole paketinde sunulan komponen, 2.2Ω maksimum Rds(on) değeri ile etkili enerji dönüşümü sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Mevcut parçası obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 230 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 55W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2Ohm @ 1.6A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok