Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI34P10TU
MOSFET P-CH 100V 33.5A I2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI34P10TU
FQI34P10TU Hakkında
FQI34P10TU, onsemi tarafından üretilen P-channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 33.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 60mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. TO-262-3 (I²Pak) paketi sayesinde yüksek güç uygulamalarına entegre edilebilir. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve güç elektronikleri, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. Gate threshold voltajı 4V olup ±25V Vgs toleransına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2910 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 155W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 16.75A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok