Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI2P25TU
MOSFET P-CH 250V 2.3A I2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI2P25TU
FQI2P25TU Hakkında
FQI2P25TU, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi ve 2.3A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-262 (I²Pak) paketi ile Through Hole montajına uygun olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 4Ω maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. Güç yönetimi, motor kontrol, AC/DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde kullanılır. 8.5nC gate charge ve 250pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama işlemleri mümkündür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 1.15A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok