Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQI2NA90TU

MOSFET N-CH 900V 2.8A I2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
FQI2NA90TU

FQI2NA90TU Hakkında

FQI2NA90TU, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 900V drain-source gerilimi ve 2.8A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olup, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar elemanı olarak kullanılır. TO-262 (I²Pak) paketinde sunulan bileşen, 5.8Ω maksimum RDS(on) değeri ile enerji tasarrufu sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygunluğunu gösterir. Gate charge değeri 20nC olup hızlı anahtarlama özellikleri sunar. Yüksek gerilim güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri ve aydınlatma sistemlerinde tercih edilir. Bileşen şu anda üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8Ohm @ 1.4A, 10V
Supplier Device Package I2PAK (TO-262)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok