Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI2N80TU
MOSFET N-CH 800V 2.4A I2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI2N80TU
FQI2N80TU Hakkında
FQI2N80TU, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source voltaj sınırlaması ve 2.4A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç dönüştürme uygulamaları, AC/DC adaptörleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilir. 10V gate sürüş voltajında 6.3Ω on-direnci ve 15nC gate yükü ile verimliliği arttırır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kararlı performans sunar. 3.13W'lık güç dağıtımı kapasitesi ile orta seviye güç uygulamalarına uygundur. Not: Bu ürün artık üretim dışıdır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 85W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3Ohm @ 900mA, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok