Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI27P06TU
MOSFET P-CH 60V 27A I2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI27P06TU
FQI27P06TU Hakkında
FQI27P06TU, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 27A sürekli akım kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 (I²Pak) paketindeki bu bileşen, 70mOhm maksimum gate-source direnciyle (10V, 13.5A'de) verimli çalışır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve yük anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 43nC gate yükü ve 1400pF giriş kapasitesiyle kontrollü anahtarlama hızı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 13.5A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok