Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI27N25TU-F085
25.5A, 250V, 0.11OHM, N-CHANNEL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI27N25TU
FQI27N25TU-F085 Hakkında
FQI27N25TU-F085, Rochester Electronics tarafından üretilen 250V drain-source gerilim kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. 25.5A sürekli drenaj akımı ve 110mOhm RDS(on) değeri ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-262 (I²PAK) paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate drive voltajında çalışır ve -55°C ile 150°C arasında işletim sıcaklığı aralığına sahiptir. SMPS, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 65nC gate charge ve 1800pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 417W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 12.75A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok