Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI27N25TU
MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI27N25TU
FQI27N25TU Hakkında
FQI27N25TU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi ve 25.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-262 I²Pak paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürü geriliminde 110mOhm maksimum on-state direnciyle düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrolü ve endüstriyel sürücü devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimlenebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2450 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 180W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 12.75A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok