Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI1P50TU
MOSFET P-CH 500V 1.5A I2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI1P50TU
FQI1P50TU Hakkında
FQI1P50TU, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source voltajına ve 1.5A sürekli drain akımına sahiptir. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve yüksek voltaj anahtarlama sistemlerinde kullanılmaya uygundur. Maksimum 63W güç dağılabilir (TJ'de). Kütlebaşı (gate) kontrol voltajı ±30V'dur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5Ohm @ 750mA, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok