Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI17P10TU
P-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI17P10TU
FQI17P10TU Hakkında
FQI17P10TU, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET'tir. 100V drain-source gerilimi ve 16.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde gelen bu transistör, ±30V gate gerilimi, 190mOhm RDS(on) değeri ve 3.75W (Ta) / 100W (Tc) güç yayılımı ile güç kaynakları, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve batarya yönetim sistemlerinde çalışır. -55°C ile 175°C arasında çalışmaya uygun olup, Through Hole montaj özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 8.25A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok