Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI17N08TU
MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI17N08TU
FQI17N08TU Hakkında
FQI17N08TU, onsemi tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 80V drain-source gerilimi ve 16.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-262-3 (I²PAK) paketinde sunulan bu transistör, 115mOhm maksimum on-state direnç (Rds) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, switching uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC konvertörlerde kullanılmaktadır. 10V gate sürücü gerilimi ile kontrol edilebilmesi uygulamayı kolaylaştırır. Üretim durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 8.25A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok