Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI15P12TU
MOSFET P-CH 120V 15A I2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI15P12TU
FQI15P12TU Hakkında
FQI15P12TU, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 120V drain-source gerilimi ve 15A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 200mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürü geriliminde optimal performans gösterir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Motor kontrolü, güç kaynakları, şarj devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok