Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI13N50CTU
MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI13N50C
FQI13N50CTU Hakkında
FQI13N50CTU, onsemi tarafından üretilen 500V N-Channel MOSFET transistörüdür. 13A sürekli drain akımı kapasitesi ve 480mΩ maksimum RDS(on) değeri ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu komponent, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve anahtarlama devrelerinde tercih edilmektedir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 195W güç yayınlama kapasitesine sahiptir. Gate charge karakteristiği 56nC (@10V) olup, hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2055 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 195W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok