Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI13N06TU
MOSFET N-CH 60V 13A I2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI13N06TU
FQI13N06TU Hakkında
FQI13N06TU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajı ve 13A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve motor sürücü sistemlerinde kullanılır. 135mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında güvenilir performans sunmaktadır. Yüksek entegrasyonlu güç uygulamaları için endüstriyel ve tüketici elektroniği alanlarında yaygın şekilde uygulanmıştır. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 310 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 135mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok