Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI13N06LTU
MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI13N06LTU
FQI13N06LTU Hakkında
FQI13N06LTU, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 13.6A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate geriliminde 110mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışır. Anahtarlama uygulamalarında, motor kontrolü, güç dönüştürme devreleri ve yük anahtarlaması gibi endüstriyel ve tüketici elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 45W (Tc) maksimum güç tüketimi ile medium güç uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 6.8A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok