Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI13N06LTU
MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI13N06LTU
FQI13N06LTU Hakkında
FQI13N06LTU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 13.6A sürekli dren akımına sahiptir. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu komponent, güç anahtarlama ve DC-DC konverter uygulamalarında kullanılır. 110mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, 45W güç tüketebilir. 5V ve 10V drive voltajı desteği sayesinde dijital kontrol devreleriyle kolayca entegre edilebilir. Gate charge 6.4nC ve input capacitance 350pF olarak belirtilmiştir. Industrial ve otomotiv uygulamalarında sıkça tercih edilen bir komponenttir. Not: Parça obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 6.8A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok